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ICSCRM 2024展会上，南砂晶圆重点展示了最新的8英寸导电型碳化硅衬底。该产品推出，标志着南砂晶圆在碳化硅衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破。南砂晶圆实现近“零螺位错”密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备这一技术突破，不仅提升了产品的可靠性和性能，也为国产8英寸导电型衬底的产业化进程迈出了坚实的一步。展会期间，南砂晶圆团队与来自全球的行业专家、合作伙伴等进行了深入交流和讨论。众多参会人士对南砂晶圆展示的新产品和技术表示出浓厚的兴趣，并对公司的未来发展给予了高度期待。
南砂晶圆采用扩径生长制备了 8 英寸 4H-SiC 衬底，实现了近“零 TSD”和低 BPD 密度的 8 英寸衬底，可以满足生产需要。广东天域国产 8 英寸外延设备和开发的工艺包，实现了速率为 68.66μm/h 的快速外延生长，厚度不均匀性为 0.89%，掺杂不均匀性为 2.05%，这两个指标已经达到了 6 英寸外延膜的优良水平，完全可以满足生产需要。
2024年7月31日，山东省委书记林武莅临南砂晶圆全资子公司中晶芯源，视察公司8英寸碳化硅北方基地项目。省委常委、济南市委书记刘强，省委常委、秘书长范波，省工信厅副厅长安文建，济南市工信局党组书记、局长魏斌，历城区委书记张军等省市区领导参加活动。
2024年7月31日，山东省委书记林武莅临南砂晶圆全资子公司中晶芯源，调研公司8英寸碳化硅北方基地项目。省委常委、济南市委书记刘强、省委常委、秘书长范波、省工信厅副厅长安文建、济南市工信局党组书记、局长魏斌、历城区委书记张军、历城区委常委、区委办主任胡志强、历城区委常委、区政府副区长文海生等省市区领导参加活动。南砂晶圆技术团队负责人、山东大学新一代半导体材料研究院院长、山东大学晶体材料国家重点实验室主任徐现刚教授带队迎接。
6月22日，在2024济南新一代半导体晶体技术及应用大会暨南砂晶圆北方基地--中晶芯源8英寸碳化硅项目投产开幕仪式上，广州南砂晶圆半导体技术有限公司全资子公司山东中晶芯源半导体科技有限公司盛大开业，南砂晶圆8英寸碳化硅北方基地项目宣布正式投产。
