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08月23日~08月25日，作为中国电子产业领域的重要盛事之一的2023年深圳国际电子展览会（ELEXCON）开幕，南砂晶圆应邀参加本次展会，并携公司新产品——8英寸导电型碳化硅衬底亮相。
杨祥龙博士在深圳国际第三代半导体与应用论坛做题为《八英寸SiC单晶的研究进展》报告。在本报告中，杨博士提到南砂晶圆在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错”密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备，其中，螺位错密度为0.55 cm-2，基平面位错密度为202 cm-2。8英寸SiC衬底位错缺陷的有效控制，有助于加快国产8英寸导电型衬底的产业化进程，提升市场竞争力。
未来公司将在大尺寸碳化硅衬底领域继续加大投入力度，提升公司的核心竞争能力，立足粤港澳大湾区，力争发展成为全国乃至全球驰名的碳化硅半导体公司。
