2022-09-08

我司成功实现高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备

我司采用物理气相传输法（PVT）扩径获得了8英寸4H-SiC籽晶，用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长，并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征，衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%；衬底微管密度小于0.3/cm2；衬底电阻率范围20-23mΩ•cm，平均值为22mΩ•cm；（004）面高分辨X射线摇摆曲线半峰宽32.7弧秒，表明衬底良好的结晶质量。

2021-10-12

南砂晶圆入选“广州未来独角兽创新企业”和“广州高精尖企业”

近日，由广州市科学技术局指导，广州市科技创新企业协会主办的《2021年广州“独角兽”创新企业榜单》、《2021年广州高精尖企业榜单》正式公布！南砂晶圆凭借过硬的实力，入选“广州未来独角兽创新企业”和“广州高精尖企业”榜单。

2021-09-18

南砂晶圆举办成立三周年暨项目封顶仪式

9月18日，广州南砂晶圆半导体技术有限公司在位于万顷沙镇万泰路的南砂晶圆总部基地举行公司成立三周年暨项目封顶仪式。